BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSO080P03SHXUMA1
Číslo produktu DigiKey	BSO080P03SHXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSO080P03SHXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSO080P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSO080P03SHXUMA1
Popis	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 12,6A (Ta) 1,79W (Ta) Montáž na povrch PG-DSO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSO080P03SHXUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 136 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5890 pF @ 25 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 1,79W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-DSO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,6A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu BSO080
Rds zap (max) při Id, Vgs 8mOhm při 14,9A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
FDS6673BZ	onsemi	6 585	FDS6673BZCT-ND	36,71000 Kč	Direct
RRH140P03GZETB	Rohm Semiconductor	497	RRH140P03GZETBCT-ND	68,41000 Kč	Similar
SI4425DDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	235	SI4425DDY-T1-GE3CT-ND	28,99000 Kč	Similar