Name: BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 58.1889 CZK
Availability: OutOfStock

BSC900N20NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC900N20NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC900N20NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC900N20NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 15,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC900N20NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 7,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 30µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	920 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-5
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC900

Jednotková cena bez DPH:	48,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,18890 Kč

BSC900N20NS3GATMA1