BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

BSC120N03MSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC120N03MSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC120N03MSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC120N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC120N03MSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC120N03MSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 39A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-5
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC120

Jednotková cena bez DPH:	18,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,86900 Kč

BSC120N03MSGATMA1