Name: BSC118N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC118N10NSGATMA1TR-ND
Price: 53.8692 CZK
Availability: InStock

BSC118N10NSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC118N10NSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC118N10NSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC118N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC118N10NSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC118N10NSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 71A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,8mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 70µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3700 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	114W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC118

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	10,98128 Kč	54 906,40 Kč
10 000	10,91371 Kč	109 137,10 Kč

Jednotková cena bez DPH:	44,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	53,86920 Kč

BSC118N10NSGATMA1