Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0902NSIATMA1TR-ND
Price: 30.7461 CZK
Availability: InStock

BSC0902NSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC0902NSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC0902NSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC0902NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0902NSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC0902NSIATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,8mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC0902

Jednotková cena bez DPH:	25,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,74610 Kč

BSC0902NSIATMA1