Name: BSC0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0901NSATMA1TR-ND
Price: 40.8859 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC0901NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC0901NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC0901NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0901NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC0901NSATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 44 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2800 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-5
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 28A (Ta), 100A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSC0901
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,9mOhm při 30A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 25 266

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®