PG-TDSON-8-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC077N12NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC077N12NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSC077N12NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSC077N12NS3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 120 V 13,4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC077N12NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
13,4A (Ta), 98A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,7mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 110µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5700 pF @ 60 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
139W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-1
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSC077
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 15 899
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
175,57000 Kč75,57 Kč
1049,46800 Kč494,68 Kč
10034,54520 Kč3 454,52 Kč
50030,19370 Kč15 096,85 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00024,66799 Kč123 339,95 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:75,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:91,43970 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

38,52000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,94000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

44,63000 Kč
IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,58000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

55,57000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1

Infineon Technologies

59,15000 Kč
FDMS86101DC

FDMS86101DC

MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56

onsemi

110,51000 Kč
CMMR1U-02 TR PBFREE

CMMR1U-02 TR PBFREE

DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F

Central Semiconductor Corp

26,73000 Kč
BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

Infineon Technologies

41,68000 Kč
BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

Infineon Technologies

68,62000 Kč
BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON

Infineon Technologies

41,89000 Kč
FDMS86200DC

FDMS86200DC

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

onsemi

114,51000 Kč
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Infineon Technologies

60,41000 Kč
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Infineon Technologies

57,68000 Kč