Name: BSC076N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC076N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 44.7216 CZK
Availability: InStock

BSC076N06NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC076N06NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC076N06NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC076N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC076N06NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 50A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC076N06NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,6mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-5
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC076

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	9,52020 Kč	47 601,00 Kč
10 000	9,26012 Kč	92 601,20 Kč

Jednotková cena bez DPH:	36,96000 Kč
Jednotková cena s DPH:	44,72160 Kč

BSC076N06NS3GATMA1