BSC0704LSATMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

BSC0704LSATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 10 040

Jednotková cena : 30,41000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC0704LSATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC0704LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC0704LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC0704LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0704LSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 11A (Ta), 47A (Tc) 2,1W (Ta), 36W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC0704LSATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 47A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,4mOhm při 24A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC0704