Name: BSC052N03LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC052N03LSATMA1TR-ND
Price: 33.7953 CZK
Availability: InStock

BSC052N03LSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC052N03LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC052N03LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC052N03LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC052N03LSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 17A (Ta), 57A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC052N03LSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Ta), 57A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,2mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	770 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC052

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	5,88322 Kč	29 416,10 Kč
10 000	5,48048 Kč	54 804,80 Kč

Jednotková cena bez DPH:	27,93000 Kč
Jednotková cena s DPH:	33,79530 Kč

BSC052N03LSATMA1