BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC0503NSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC0503NSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC0503NSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC0503NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0503NSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 22A (Ta), 88A (Tc) 2,5W (Ta), 36W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC0503NSIATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1300 pF @ 15 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 36W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Ta), 88A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSC0503
Rds zap (max) při Id, Vgs 3mOhm při 30A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
CSD17501Q5A	Texas Instruments	0	296-28437-1-ND	59,86000 Kč	Similar
CSD17553Q5A	Texas Instruments	4 393	296-30602-1-ND	45,05000 Kč	Similar
XP4064CMT	YAGEO XSEMI	1 000	5048-XP4064CMTCT-ND	20,86000 Kč	Similar