Name: BSC0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC0501NSIATMA1TR-ND
Price: 55.3938 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC0501NSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC0501NSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC0501NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0501NSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2200 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Funkce tranzistoru FET Schottkyho dioda (těleso)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 29A (Ta), 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,9mOhm při 30A, 10V	Základní číslo produktu BSC0501

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 897

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®