Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 80.0294 CZK
Availability: InStock

BSC042NE7NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC042NE7NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC042NE7NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 91µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4800 pF @ 37.5 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC042

Jednotková cena bez DPH:	66,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	80,02940 Kč

BSC042NE7NS3GATMA1