Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 128.623 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC019N08NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC019N08NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	52 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC019N08NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Ta), 237A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 146µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8600 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-3
Pouzdro	8-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	106,30000 Kč
Jednotková cena s DPH:	128,62300 Kč

BSC019N08NS5ATMA1