Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 160.325 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC019N08NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC019N08NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC019N08NS5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,9mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 146µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 117 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8600 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 214W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 28A (Ta), 237A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-8-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 513

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®