Name: BSC019N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N06NSATMA1TR-ND
Price: 49.5495 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC019N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC019N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC019N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC019N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC019N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Ta) 136W (Ta) Montáž na povrch PG-TDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC019N06NSATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,3V při 74µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 77 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5250 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 136W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8 FL
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Ta)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu BSC019
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,95mOhm při 50A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®