Name: BSC019N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N06NSATMA1TR-ND
Price: 41.4183 CZK
Availability: InStock

BSC019N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC019N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC019N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC019N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC019N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Ta) 136W (Ta) Montáž na povrch PG-TDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC019N06NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,95mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 74µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5250 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8 FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC019

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	16,69362 Kč	83 468,10 Kč
10 000	16,38140 Kč	163 814,00 Kč

Jednotková cena bez DPH:	34,23000 Kč
Jednotková cena s DPH:	41,41830 Kč

BSC019N06NSATMA1