PG-TDSON-8-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC019N04LSATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-BSC019N04LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-BSC019N04LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-BSC019N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSC019N04LSATMA1
Popis
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 78W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC019N04LSATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-1
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSC019
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 7 818
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
136,21000 Kč36,21 Kč
1023,00800 Kč230,08 Kč
10015,41280 Kč1 541,28 Kč
50012,15848 Kč6 079,24 Kč
1 00011,11145 Kč11 111,45 Kč
2 00010,99852 Kč21 997,04 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0009,00001 Kč45 000,05 Kč
10 0008,98572 Kč89 857,20 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:36,21000 Kč
Jednotková cena s DPH:43,81410 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

39,15000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,52000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
2EDF7275KXUMA1

2EDF7275KXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDG TFLGA-13

Infineon Technologies

46,31000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,68000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,94000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
BSC022N04LS6ATMA1

BSC022N04LS6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON

Infineon Technologies

41,26000 Kč
BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON

Infineon Technologies

32,00000 Kč
BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON

Infineon Technologies

29,89000 Kč
BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON

Infineon Technologies

30,94000 Kč
IAUCN04S7L011ATMA1

IAUCN04S7L011ATMA1

MOSFET_(20V 40V)

Infineon Technologies

38,52000 Kč
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON

Infineon Technologies

56,84000 Kč