Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 57.2088 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC009NE2LS5ATMA1
cms-digikey-product-number	BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSC009NE2LS5ATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
cms-standard-lead-time	26 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 25 V 41A (Ta), 223A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	BSC009NE2LS5ATMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	41A (Ta), 223A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3900 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 74W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC009

Jednotková cena bez DPH:	47,28000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,20880 Kč

BSC009NE2LS5ATMA1