BCR162E6327HTSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 20 581
Jednotková cena : 0,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 1 928
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 467
Jednotková cena : 0,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 79 600
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 36 756
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 830
Jednotková cena : 1,17000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 725
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 36 176
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 164
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 5 765
Jednotková cena : 1,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,47000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 8 606
Jednotková cena : 2,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 7 751
Jednotková cena : 2,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 925
Jednotková cena : 2,47000 Kč
Katalogový list
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montáž na povrch PG-SOT23
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BCR162E6327HTSA1

Číslo produktu DigiKey
BCR162E6327HTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BCR162E6327HTSA1
Popis
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BCR162E6327HTSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
20 při 5mA, 5V
Výrobce
Infineon Technologies
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
300mV při 500µA, 10mA
Balení
Páska a cívka (TR)
Zbytkový proud kolektoru (max)
100nA (ICBO)
Stav součásti
Zastaralé
Přechodový kmitočet
200 MHz
Typ tranzistoru
PNP - předpěťový obvod
Výkon - max
200 mW
Proud kolektoru (Ic) (max)
100 mA
Způsob montáže
Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Včetně rezistorů
R1 a R2
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT23
Odpor - báze (R1)
4.7 kOhms
Základní číslo produktu
Odpor - emitor- báze (R2)
4.7 kOhms
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (24)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
MMUN2132LT1Gonsemi20 581MMUN2132LT1GOSCT-ND0,65000 KčDirect
DDTA143TCA-7-FDiodes Incorporated1 928DDTA143TCA-FDICT-ND1,04000 KčSimilar
DDTA143ZCA-7-FDiodes Incorporated467DDTA143ZCA-FDICT-ND0,91000 KčSimilar
DTA114EKAT146Rohm Semiconductor79 600DTA114EKAT146CT-ND1,04000 KčSimilar
DTA115EKAT146Rohm Semiconductor36 756DTA115EKAT146CT-ND1,04000 KčSimilar
Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 712 200 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

712 200Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC