AUIRF7103Q Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRF7103Q
Číslo produktu DigiKey	AUIRF7103Q-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRF7103Q
Popis	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 50V 3A 2,4W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	50V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	130mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	255pF při 25V
Výkon - max	2,4W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	AUIRF7103