AUIRF1405ZS-7P Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

AUIRF1405ZS-7P je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 8 539

Jednotková cena : 60,20000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRF1405ZS-7P
Číslo produktu DigiKey	AUIRF1405ZS-7P-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRF1405ZS-7P
Popis	MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Montáž na povrch D2PAK (7-vodičů)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,9mOhm při 88A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5360 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	230W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK (7-vodičů)
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívody + výstupek), TO-263CB
Základní číslo produktu	AUIRF1405