Name: AMF12S25LB2ZXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AMF12S25LB2ZXKMA1-ND
Price: 1067.946 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 63A (Tc) 241W Průchozí otvor DIP 44x28DA

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AMF12S25LB2ZXKMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AMF12S25LB2ZXKMA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AMF12S25LB2ZXKMA1
Popis	AMF12S25LB2ZXKMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	36 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 63A (Tc) 241W Průchozí otvor DIP 44x28DA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 8,6mA
Výrobce Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60nC při 18V
Řada CIPOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1986pF při 800V
Balení Trubice	Výkon - max 241W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 175°C
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 4 N-kanál (polomůstek)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 63A (Tc)	Pouzdro Modul 32-PowerDIP (1,264", 32,10mm)
Rds zap (max) při Id, Vgs 35,3mOhm při 27,3A, 18V	Dodávaná velikost pouzdra DIP 44x28DA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 175

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	882,60000 Kč	882,60 Kč
11	645,02273 Kč	7 095,25 Kč
110	518,47527 Kč	57 032,28 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.