Name: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Price: 769.7173 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMZHN120R020M1TXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMZHN120R020M1TXKSA1
Popis	SIC_DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Průchozí otvor
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	25mOhm při 43A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5.1V @ 13.7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2667 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	429W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-4-14
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 84

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	636,13000 Kč	636,13 Kč
30	414,48867 Kč	12 434,66 Kč
120	401,26208 Kč	48 151,45 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.