AIMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMDQ75R008M1HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMDQ75R008M1HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMDQ75R008M1HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMDQ75R008M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMDQ75R008M1HXUMA1
Popis	AUTOMOTIVE_SICMOS
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 750 V 173A (Tc) 625W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	750 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	173A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,6mOhm při 90,3A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 32,4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	178 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6135 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	625W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP