Name: AIMBG120R080M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R080M1XTMA1TR-ND
Price: 237.644 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMBG120R080M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMBG120R080M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMBG120R080M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMBG120R080M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMBG120R080M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 30,6A (Tc) 168W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5.1V @ 3.3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	671 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	168W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	AIMBG120