Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 117.6362 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

N-kanál 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-43

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC019N08NM7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies Americas Corp.
Číslo produktu výrobce	ISC019N08NM7ATMA1
Popis	ISC019N08NM7ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-43
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,9mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (max) při Id 3,2V při 87µA
Řada OptiMOS™ 7	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 78 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5633 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 188W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 26A (Ta), 209A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-43
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN