Name: GSGTL1R510
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSGTL1R510TR-ND
Price: 117.3821 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GSGTL1R510
Číslo produktu DigiKey	4786-GSGTL1R510TR-ND - Páska a cívka (TR) 4786-GSGTL1R510CT-ND - Řezaná páska (CT) 4786-GSGTL1R510DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Good-Ark Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GSGTL1R510
Popis	MOSFET, N-CH, SINGLE, 300.00A, 1
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 300A (Tc) 480W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok Toll
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Good-Ark Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 265 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 16200 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 480W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 300A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra Toll
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerSFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5mOhm při 30A, 10V