Name: GSFB3123
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSFB3123TR-ND
Price: 10.9263 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GSFB3123
Číslo produktu DigiKey	4786-GSFB3123TR-ND - Páska a cívka (TR) 4786-GSFB3123CT-ND - Řezaná páska (CT) 4786-GSFB3123DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Good-Ark Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GSFB3123
Popis	MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 10A (Tc) 2,2W (Tc) Montáž na povrch 6-DFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,9V při 250µA
Mfr Good-Ark Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2500 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,2W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 6-DFN (2x2)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 23mOhm při 8A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 11 376

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)