Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 46.7544 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G65P06D5
Číslo produktu DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G65P06D5CT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G65P06D5
Popis	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 20A, 10V
Mfr Goford Semiconductor	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 75 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6138 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 104W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 65A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (4,9x5,75)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Nezrušitelné/nevratné

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®