Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 19.3116 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G1K3N10G
Číslo produktu DigiKey	3141-G1K3N10GTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G1K3N10G
Popis	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 5A (Tc) 1,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-89
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 130mOhm při 5A, 10V
Mfr Goford Semiconductor	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 644 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-89
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-243AA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)