Name: G180C06Y
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G180C06YTR-ND
Price: 35.9128 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G180C06Y
Číslo produktu DigiKey	3141-G180C06YTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G180C06YCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G180C06YDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G180C06Y
Popis	MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 50A (Tc), 60A (Tc) 69W (Tc), 115W (Tc) Montáž na povrch TO-252-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Goford Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál, Společný odtok
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc), 60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	17mOhm při 20A, 10V, 23mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA, 4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	39nC při 4,5V, 62nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2429pF při 30V, 4471pF při 30V
Výkon - max	69W (Tc), 115W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-252-5, DPAK (4 přívody + výstupek)
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252-4