Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 80.5013 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G080P06M
Číslo produktu DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G080P06M
Popis	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 20A, 10V
Mfr Goford Semiconductor	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 186 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 15870 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 294W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 195A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB