Name: G040P04M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G040P04MTR-ND
Price: 84.6032 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G040P04M
Číslo produktu DigiKey	3141-G040P04MTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G040P04MCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G040P04MDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G040P04M
Popis	MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 180A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,5mOhm při -15A,- 10V
Mfr Goford Semiconductor	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 206 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14983 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 178W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 280

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	69,92000 Kč
Jednotková cena s DPH:	84,60320 Kč

G040P04M