Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montáž na šasi Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montáž na šasi Modul
GE17045EEA3
GE17045EEA3

GE12050EEA3

Číslo produktu DigiKey
4014-GE12050EEA3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
GE12050EEA3
Popis
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
GE Aerospace
Řada
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
6 N-kanálový (3fázový můstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
475A
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,4mOhm při 475A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 160mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1248nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
29300pF při 600V
Výkon - max
1250W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 5
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Expedice proběhne přibližně za 10 dní od GE Aerospace
Bude použit samostatný poplatek za dopravu 419,96 Kč s paušální sazbou
Informace o datovém kódu budou poskytnuty společně s dodávkou tohoto produktu.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
1180 656,67000 Kč180 656,67 Kč
Jednotková cena bez DPH:180 656,67000 Kč
Jednotková cena s DPH:218 594,57070 Kč