N-kanál 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HUF75639S3ST

Číslo produktu DigiKey
2156-HUF75639S3ST-ND
Výrobce
Fairchild Semiconductor
Číslo produktu výrobce
HUF75639S3ST
Popis
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
25mOhm při 56A, 10V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
130 nC @ 20 V
Balení
Hromadné balení
Vgs (max)
±20V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2000 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
200W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 810
Nezrušitelné/nevratné
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Expedice proběhne přibližně za 10 dní od Rochester Electronics LLC
Bude použit samostatný poplatek za dopravu 1 897,85 Kč s paušální sazbou
Maximální nákupní limit
Abychom vyhověli všem potřebám zákazníků v oblasti výzkumu a vývoje, je pro tento produkt stanoven nákupní strop. Tento strop znamená možnost nákupu každých 30 dní; všechny objednávky přesahující tento limit mohou být zrušeny.
Hromadné balení:810
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
16039,20831 Kč6 273,33 Kč
Jednotková cena bez DPH:39,20831 Kč
Jednotková cena s DPH:47,44206 Kč