EPC2107
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
EPC2107
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

Číslo produktu DigiKey
917-1169-2-ND - Páska a cívka (TR)
917-1169-1-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
EPC2108
Popis
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 60V, 100V 1,7A, 500mA Montáž na povrch 9-BGA (1,35x1,35)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
EPC
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Konfigurace
3 N kanál (polomůstkový + synchronní bootstrap)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60V, 100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,7A, 500mA
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 2,5A, 5V, 3,3Ohm při 2,5A, 5V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 100µA, 2,5V při 20µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
22pF při 30V, 7pF při 30V
Výkon - max
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
9-VFBGA
Dodávaná velikost pouzdra
9-BGA (1,35x1,35)
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 636
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
153,89000 Kč53,89 Kč
1034,73300 Kč347,33 Kč
10023,77810 Kč2 377,81 Kč
50019,09572 Kč9 547,86 Kč
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50015,52438 Kč38 810,95 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:53,89000 Kč
Jednotková cena s DPH:65,20690 Kč