RF MOSFET 50 V 30 A 4-SMD
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
RF MOSFET 50 V 30 A 4-SMD
4 SMDB, No Lead
FBG10N30BC
FBG10N30BC

FBG10N30BC

Číslo produktu DigiKey
4107-FBG10N30BC-ND
Výrobce
EPC Space, LLC
Číslo produktu výrobce
FBG10N30BC
Popis
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Standardní dodací lhůta výrobce
4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
RF MOSFET 50 V 30 A 4-SMD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
EPC Space, LLC
Řada
eGaN®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
GaN HEMT
Konfigurace
N-kanál
Kmitočet
-
Zisk
-
Zkušební napětí
50 V
Jmenovitý proud (A)
-
Šumové číslo
-
Testovací proud
30 A
Výstupní výkon
-
Jmenovité napětí
100 V
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů
Dodávaná velikost pouzdra
4-SMD
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 123
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
15 510,51000 Kč5 510,51 Kč
105 385,98700 Kč53 859,87 Kč
Jednotková cena bez DPH:5 510,51000 Kč
Jednotková cena s DPH:6 667,71710 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
FBG10N30BSH

FBG10N30BSH

GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B

EPC Space, LLC

7 993,94000 Kč