Pole MOSFET 300V 4A (Tc) Montáž na povrch 4-SMD
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FBG30N04CSH

Číslo produktu DigiKey
4107-FBG30N04CSH-ND
Výrobce
EPC Space, LLC
Číslo produktu výrobce
FBG30N04CSH
Popis
MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Standardní dodací lhůta výrobce
10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 300V 4A (Tc) Montáž na povrch 4-SMD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
EPC Space, LLC
Řada
eGaN®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
300V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
404mOhm při 4A, 5V
Vgs(th) (max) při Id
2,8V při 600µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
2,6nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
450pF při 150V
Výkon - max
-
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů
Dodávaná velikost pouzdra
4-SMD
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
18 711,23000 Kč8 711,23 Kč
108 419,14800 Kč84 191,48 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:8 711,23000 Kč
Jednotková cena s DPH:10 540,58830 Kč