RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
4 SMDB, No Lead

FBG20N18BSH

Číslo produktu DigiKey
4107-FBG20N18BSH-ND
Výrobce
EPC Space, LLC
Číslo produktu výrobce
FBG20N18BSH
Popis
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Standardní dodací lhůta výrobce
10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
EPC Space, LLC
Řada
eGaN®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
GaN HEMT
Konfigurace
N-kanál
Kmitočet
-
Zisk
-
Zkušební napětí
100 V
Jmenovitý proud (A)
-
Šumové číslo
-
Testovací proud
18 A
Výstupní výkon
-
Jmenovité napětí
200 V
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů
Dodávaná velikost pouzdra
4-SMD
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 37
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
17 993,94000 Kč7 993,94 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:7 993,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:9 672,66740 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
3 Položky
FBG20N18BC

FBG20N18BC

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

5 510,51000 Kč
EPC7020GC

EPC7020GC

GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB

EPC Space, LLC

5 986,32000 Kč
MBRB40250TT4G

MBRB40250TT4G

DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK

onsemi

55,64000 Kč