Name: FBG20N18BSH
Brand: EPC Space, LLC
SKU: 4107-FBG20N18BSH-ND
Price: 10071.314 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FBG20N18BSH
Číslo produktu DigiKey	4107-FBG20N18BSH-ND
Výrobce	EPC Space, LLC
Číslo produktu výrobce	FBG20N18BSH
Popis	GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Tranzistory RF FET, MOSFET	Zkušební napětí 100 V
Výrobce EPC Space, LLC	Testovací proud 18 A
Řada eGaN®	Jmenovité napětí 200 V
Balení Hromadné balení	Způsob montáže Montáž na povrch
Stav součásti Aktivní	Pouzdro 4-SMD, Bez přívodů
Technologie GaN HEMT	Dodávaná velikost pouzdra 4-SMD
Konfigurace N-kanál