Name: DIW170SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW170SIC049-ND
Price: 582.7602 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DIW170SIC049
Číslo produktu DigiKey	4878-DIW170SIC049-ND
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DIW170SIC049
Popis	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 67A, 1
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 67A (Tc) 357W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DIW170SIC049 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diotec Semiconductor
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	67A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	49mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 15mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3046 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	357W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 58

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	481,62000 Kč	481,62 Kč
30	306,22833 Kč	9 186,85 Kč
120	282,31208 Kč	33 877,45 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.