N-kanál 1200 V 65A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DIW120SIC059-AQ

Číslo produktu DigiKey
4878-DIW120SIC059-AQ-ND
Výrobce
Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce
DIW120SIC059-AQ
Popis
SICFET N-CH 1200V 65A TO-247-3
Standardní dodací lhůta výrobce
9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 65A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
DIW120SIC059-AQ Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Diotec Semiconductor
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
65A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
53mOhm při 33A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 9,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
121 nC @ 15 V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2070 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
TO-247-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 430
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1708,47000 Kč708,47 Kč
30463,46100 Kč13 903,83 Kč
120422,32925 Kč50 679,51 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:708,47000 Kč
Jednotková cena s DPH:857,24870 Kč