Name: DIW120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW120SIC028-ND
Price: 1997.4438 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DIW120SIC028
Číslo produktu DigiKey	4878-DIW120SIC028-ND
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DIW120SIC028
Popis	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 118A,
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 118A (Tc) 715W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DIW120SIC028 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diotec Semiconductor
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	118A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 80A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 25mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	373 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5691 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	715W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 140

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	1 650,78000 Kč	1 650,78 Kč
30	1 069,64833 Kč	32 089,45 Kč
120	808,96258 Kč	97 075,51 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.