N-kanál 650 V 36A (Tc) 175W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DIW065SIC080

Číslo produktu DigiKey
4878-DIW065SIC080-ND
Výrobce
Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce
DIW065SIC080
Popis
SICFET N-CH 650V 36A TO-247-3
Standardní dodací lhůta výrobce
10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 36A (Tc) 175W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
DIW065SIC080 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Diotec Semiconductor
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
80mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1480 pF @ 600 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
175W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
TO-247-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 150
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1219,43000 Kč219,43 Kč
30129,61367 Kč3 888,41 Kč
120109,87900 Kč13 185,48 Kč
51095,42725 Kč48 667,90 Kč
1 02093,71408 Kč95 588,36 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:219,43000 Kč
Jednotková cena s DPH:265,51030 Kč