Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 50.4328 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DI2A2N100D1K
Číslo produktu DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Páska a cívka (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Řezaná páska (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DI2A2N100D1K
Popis	MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Montáž na povrch TO-252 (DPAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DI2A2N100D1K Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diotec Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,8Ohm při 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	510 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	30W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252 (DPAK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63