Name: DI200N04PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N04PQTR-ND
Price: 89.4311 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DI200N04PQ
Číslo produktu DigiKey	4878-DI200N04PQTR-ND - Páska a cívka (TR) 4878-DI200N04PQCT-ND - Řezaná páska (CT) 4878-DI200N04PQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DI200N04PQ
Popis	MOSFET N-CH 40V 200A 8-POWERTDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 200A (Tc) 180W (Tc) Montáž na povrch 8-QFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DI200N04PQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 92 nC @ 10 V
Mfr Diotec Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5768 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 180W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-QFN (5x6)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,3mOhm při 100A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA