Name: DI100N10PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI100N10PQTR-ND
Price: 67.8326 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DI100N10PQ
Číslo produktu DigiKey	4878-DI100N10PQTR-ND - Páska a cívka (TR) 4878-DI100N10PQCT-ND - Řezaná páska (CT) 4878-DI100N10PQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DI100N10PQ
Popis	MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 100A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch 8-QFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DI100N10PQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diotec Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 64 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3400 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-QFN (5x6)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 30A, 10V