Name: ZXMN6A11DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A11DN8TR-ND
Price: 39.8937 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ZXMN6A11DN8TA
Číslo produktu DigiKey	ZXMN6A11DN8TR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMN6A11DN8CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN6A11DN8TA
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 2,5A 1,8W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA (min.)
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5,7nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 330pF při 40V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,8W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,5A	Základní číslo produktu ZXMN6
Rds zap (max) při Id, Vgs 120mOhm při 2,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IRF7103TRPBF	Infineon Technologies	11 008	IRF7103PBFCT-ND	25,20000 Kč	Similar

Skladem: 15

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	32,97000 Kč
Jednotková cena s DPH:	39,89370 Kč

ZXMN6A11DN8TA