Name: ZXMN6A09GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZXMN6A09GQTATR-ND
Price: 57.8138 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

ZXMN6A09GQTA
Číslo produktu DigiKey	31-ZXMN6A09GQTATR-ND - Páska a cívka (TR) 31-ZXMN6A09GQTACT-ND - Řezaná páska (CT) 31-ZXMN6A09GQTADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN6A09GQTA
Popis	MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 5,4A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 8,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1407 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223-3
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	ZXMN6

Jednotková cena bez DPH:	47,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,81380 Kč

ZXMN6A09GQTA