Name: ZXMHC6A07N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC6A07N8DITR-ND
Price: 44.2134 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ZXMHC6A07N8TC
Číslo produktu DigiKey	ZXMHC6A07N8DITR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMHC6A07N8DICT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMHC6A07N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMHC6A07N8TC
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 1,39A, 1,28A 870mW Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3,2nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 166pF při 40V, 141pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 870mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,39A, 1,28A	Základní číslo produktu ZXMHC6A07
Rds zap (max) při Id, Vgs 250mOhm při 1,8A, 10V