Name: ZXMHC3A01T8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01T8TR-ND
Price: 64.1905 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ZXMHC3A01T8TA
Číslo produktu DigiKey	ZXMHC3A01T8TR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMHC3A01T8CT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMHC3A01T8DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMHC3A01T8TA
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,7A, 2A 1,3W Montáž na povrch SM8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ZXMHC3A01T8TA Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,7A, 2A
Rds zap (max) při Id, Vgs	120mOhm při 2,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	3,9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	190pF při 25V, 204pF při 15V
Výkon - max	1,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-223-8
Dodávaná velikost pouzdra	SM8
Základní číslo produktu	ZXMHC3