Name: ZXMC10A816N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC10A816N8DITR-ND
Price: 41.6361 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ZXMC10A816N8TC
Číslo produktu DigiKey	ZXMC10A816N8DITR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMC10A816N8DICT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMC10A816N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMC10A816N8TC
Popis	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2A 1,8W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9,2nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 497pF při 50V, 717pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,8W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A	Základní číslo produktu ZXMC10
Rds zap (max) při Id, Vgs 230mOhm při 1A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 205

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	34,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	41,63610 Kč

ZXMC10A816N8TC